в полупроводниковых структурах

1) Микроэлектроника: охранное кольцо

2) Макаров: охранное кольцо (в полупроводниковых структурах)

1) General subject: protective shroud

2) Engineering: buffer ring (транзистора в ИС), channel stop (при изготовлении полупроводникового прибора), channel stopper (при изготовлении полупроводникового прибора), charge control ring (транзистора в ИС), guard ring (транзистора в ИС), stop ring (транзистора в ИС)

3) Electronics: guard band

4) Information technology: collar ring (в ИС), guard ring (для ограничения поверхностного темнового тока в полупроводнике)

5) Microelectronics: guardband

6) Makarov: guard-ring electrode, guardband (в полупроводниковых структурах)

* * *

  Heterojunction

 Гетеропереход

  Контакт двух различных по химическому составу полупроводников, при котором кристаллическая решетка одного материала без нарушения периодически переходит в решетку другого материала. Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах (гетероструктурах). Например, лазер на двойной гетероструктуре делают на основе GaAs. В тонкий слой GaAs, который имеет более узкую запрещённую зону по сравнению с расположенными по его краям слоями AlGaAs, инжектируются электроны и дырки, которые рекомбинируют там с испусканием фотонов.

  Heterojunction

 Гетеропереход

  Контакт двух различных по химическому составу полупроводников, при котором кристаллическая решетка одного материала без нарушения периодически переходит в решетку другого материала. Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах (гетероструктурах). Например, лазер на двойной гетероструктуре делают на основе GaAs. В тонкий слой GaAs, который имеет более узкую запрещённую зону по сравнению с расположенными по его краям слоями AlGaAs, инжектируются электроны и дырки, которые рекомбинируют там с испусканием фотонов.

  Heterojunction

 Гетеропереход

  Контакт двух различных по химическому составу полупроводников, при котором кристаллическая решетка одного материала без нарушения периодически переходит в решетку другого материала. Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах (гетероструктурах). Например, лазер на двойной гетероструктуре делают на основе GaAs. В тонкий слой GaAs, который имеет более узкую запрещённую зону по сравнению с расположенными по его краям слоями AlGaAs, инжектируются электроны и дырки, которые рекомбинируют там с испусканием фотонов.

  Heterojunction

 Гетеропереход

  Контакт двух различных по химическому составу полупроводников, при котором кристаллическая решетка одного материала без нарушения периодически переходит в решетку другого материала. Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах (гетероструктурах). Например, лазер на двойной гетероструктуре делают на основе GaAs. В тонкий слой GaAs, который имеет более узкую запрещённую зону по сравнению с расположенными по его краям слоями AlGaAs, инжектируются электроны и дырки, которые рекомбинируют там с испусканием фотонов.

 

бор
B
Элемент III группы Периодич. системы, ат. н. 5, ат. м. 10,811; кристаллы серовато-черного цвета (очень чистый В бесцветен). Природный В состоит из двух стабильных изотопов: 10В (19 %) и "В (81 %). Ранее других известное соединение В — бура — упоминается в сочинениях алхимиков. Свободный (нечистый) В впервые получили Ж. Гей-Люссак и Л. Тенар в 1808 г. нагреванием В203 с металлич. калием. Общее содержание В в земной коре -3 • 10"" мас. %. В природе В в свободном состоянии не обнаружен. Многие соединения В широко распространены, напр., боросиликаты, бораты и бороалюмосиликаты входят в состав многих изверженных и осадочных пород.
Известно несколько кристаллич. модификаций В. Атомы В образуют в них трехмерный каркас подобно атомам С в алмазе. Этим объясняется высокая твердость В. Однако строение каркаса в структурах В гораздо сложнее, чем в алмазе. В кристаллах В особый тип ковалентной связи — многоцентровая с дефицитом эл-нов. В соединениях ионного типа В. 3-валентен. Так наз. «аморфный» В, получаемый при восстановлении В₂О₃ металлич. натрием или калием, имеет у = 1,73 г/см³. Чистый кристаллич. В имеет у = 2,3 г/см³, L ~ 2075 *с> '«л = 386° <с> тв. по минералогич. шкале 9, микротв. 34 ГПа. Кристаллич. В - полупроводник. В обычных условиях он плохо проводит электрич. ток. При нагреве до 800 °С электрич. проводимость В увеличивается на несколько порядков. Химически В. при обычных условиях довольно инертен. С повышением темп-ры активность В возрастает, более сильно у аморфного, чем у кристаллич., и он соединяется с кислородом, серой, галогенами. При нагревании > 900 °С с углем или азотом В образует соотв. карбид В₄С и нитрид BN.
Элемент. В из природного сырья получают в несколько стадий. Разложением боратов горячей Н₂О или H₂SO₄ получают борную кислоту, а ее обезвоживанием - В₂О₃. Восстановление В₂О₃ металлич. Mg дает В в виде темно-бурого порошка; от примесей его очищают азотной или плавиковой кислотами. Очень чистый В, необходимый в произ-ве полупроводников, получают из его галогенидов: восстанавливают ВС13 водородом при 1200 °С или разлагают пары ВВг, на Та-проволоке, раскаленной до 1500 °С.
В применяют для микролегирования (доли %) сталей и некоторых литейных сплавов для улучшения их прокаливаемости и механич. свойств (обычно используют ферробор — сплав Fe с 10—20 % В). Поверхностное насыщение стальных деталей В (на глубину 0,1 — 0,5 мм) улучшает не только износостойкость, но и стойкость против коррозии (см. Борирование). В и его соединения (BN, В₄С, BP и др.) используют в качестве диэлектриков и полупроводниковых материалов. Широко применяются борная кислота и ее соли (прежде всего, бура), бориды и др.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]

Тематики

• металлургия в целом

EN

• B
• boron

 

бор
B
Элемент III группы Периодич. системы, ат. н. 5, ат. м. 10,811; кристаллы серовато-черного цвета (очень чистый В бесцветен). Природный В состоит из двух стабильных изотопов: 10В (19 %) и "В (81 %). Ранее других известное соединение В — бура — упоминается в сочинениях алхимиков. Свободный (нечистый) В впервые получили Ж. Гей-Люссак и Л. Тенар в 1808 г. нагреванием В203 с металлич. калием. Общее содержание В в земной коре -3 • 10"" мас. %. В природе В в свободном состоянии не обнаружен. Многие соединения В широко распространены, напр., боросиликаты, бораты и бороалюмосиликаты входят в состав многих изверженных и осадочных пород.
Известно несколько кристаллич. модификаций В. Атомы В образуют в них трехмерный каркас подобно атомам С в алмазе. Этим объясняется высокая твердость В. Однако строение каркаса в структурах В гораздо сложнее, чем в алмазе. В кристаллах В особый тип ковалентной связи — многоцентровая с дефицитом эл-нов. В соединениях ионного типа В. 3-валентен. Так наз. «аморфный» В, получаемый при восстановлении В₂О₃ металлич. натрием или калием, имеет у = 1,73 г/см³. Чистый кристаллич. В имеет у = 2,3 г/см³, L ~ 2075 *с> '«л = 386° <с> тв. по минералогич. шкале 9, микротв. 34 ГПа. Кристаллич. В - полупроводник. В обычных условиях он плохо проводит электрич. ток. При нагреве до 800 °С электрич. проводимость В увеличивается на несколько порядков. Химически В. при обычных условиях довольно инертен. С повышением темп-ры активность В возрастает, более сильно у аморфного, чем у кристаллич., и он соединяется с кислородом, серой, галогенами. При нагревании > 900 °С с углем или азотом В образует соотв. карбид В₄С и нитрид BN.
Элемент. В из природного сырья получают в несколько стадий. Разложением боратов горячей Н₂О или H₂SO₄ получают борную кислоту, а ее обезвоживанием - В₂О₃. Восстановление В₂О₃ металлич. Mg дает В в виде темно-бурого порошка; от примесей его очищают азотной или плавиковой кислотами. Очень чистый В, необходимый в произ-ве полупроводников, получают из его галогенидов: восстанавливают ВС13 водородом при 1200 °С или разлагают пары ВВг, на Та-проволоке, раскаленной до 1500 °С.
В применяют для микролегирования (доли %) сталей и некоторых литейных сплавов для улучшения их прокаливаемости и механич. свойств (обычно используют ферробор — сплав Fe с 10—20 % В). Поверхностное насыщение стальных деталей В (на глубину 0,1 — 0,5 мм) улучшает не только износостойкость, но и стойкость против коррозии (см. Борирование). В и его соединения (BN, В₄С, BP и др.) используют в качестве диэлектриков и полупроводниковых материалов. Широко применяются борная кислота и ее соли (прежде всего, бура), бориды и др.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]

Тематики

• металлургия в целом

EN

• B
• boron

 

ввод
-
[ ГОСТ Р 54325-2011 (IEC/TS 61850-2:2003)]

Тематики

• релейная защита

EN

• B
• bushing

 

оплётка
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• braiding
• braid
• B
• sleeving

 

отношение диаметра проходного сечения к диаметру трубы или трубопровода
—
[А.С.Гольдберг. Англо-русский энергетический словарь. 2006 г.]

Тематики

• энергетика в целом

EN

• ratio of throat diameter to pipe diameter
• B

37. Допустимый угол перелома продольного профиля проезжей части механизированного моста (b_п)

Источник: ГОСТ 22583-77: Мосты механизированные. Термины и определения оригинал документа

 

бор
B
Элемент III группы Периодич. системы, ат. н. 5, ат. м. 10,811; кристаллы серовато-черного цвета (очень чистый В бесцветен). Природный В состоит из двух стабильных изотопов: 10В (19 %) и "В (81 %). Ранее других известное соединение В — бура — упоминается в сочинениях алхимиков. Свободный (нечистый) В впервые получили Ж. Гей-Люссак и Л. Тенар в 1808 г. нагреванием В203 с металлич. калием. Общее содержание В в земной коре -3 • 10"" мас. %. В природе В в свободном состоянии не обнаружен. Многие соединения В широко распространены, напр., боросиликаты, бораты и бороалюмосиликаты входят в состав многих изверженных и осадочных пород.
Известно несколько кристаллич. модификаций В. Атомы В образуют в них трехмерный каркас подобно атомам С в алмазе. Этим объясняется высокая твердость В. Однако строение каркаса в структурах В гораздо сложнее, чем в алмазе. В кристаллах В особый тип ковалентной связи — многоцентровая с дефицитом эл-нов. В соединениях ионного типа В. 3-валентен. Так наз. «аморфный» В, получаемый при восстановлении В₂О₃ металлич. натрием или калием, имеет у = 1,73 г/см³. Чистый кристаллич. В имеет у = 2,3 г/см³, L ~ 2075 *с> '«л = 386° <с> тв. по минералогич. шкале 9, микротв. 34 ГПа. Кристаллич. В - полупроводник. В обычных условиях он плохо проводит электрич. ток. При нагреве до 800 °С электрич. проводимость В увеличивается на несколько порядков. Химически В. при обычных условиях довольно инертен. С повышением темп-ры активность В возрастает, более сильно у аморфного, чем у кристаллич., и он соединяется с кислородом, серой, галогенами. При нагревании > 900 °С с углем или азотом В образует соотв. карбид В₄С и нитрид BN.
Элемент. В из природного сырья получают в несколько стадий. Разложением боратов горячей Н₂О или H₂SO₄ получают борную кислоту, а ее обезвоживанием - В₂О₃. Восстановление В₂О₃ металлич. Mg дает В в виде темно-бурого порошка; от примесей его очищают азотной или плавиковой кислотами. Очень чистый В, необходимый в произ-ве полупроводников, получают из его галогенидов: восстанавливают ВС13 водородом при 1200 °С или разлагают пары ВВг, на Та-проволоке, раскаленной до 1500 °С.
В применяют для микролегирования (доли %) сталей и некоторых литейных сплавов для улучшения их прокаливаемости и механич. свойств (обычно используют ферробор — сплав Fe с 10—20 % В). Поверхностное насыщение стальных деталей В (на глубину 0,1 — 0,5 мм) улучшает не только износостойкость, но и стойкость против коррозии (см. Борирование). В и его соединения (BN, В₄С, BP и др.) используют в качестве диэлектриков и полупроводниковых материалов. Широко применяются борная кислота и ее соли (прежде всего, бура), бориды и др.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]

Тематики

• металлургия в целом

EN

• B
• boron